MOCVD 是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的 NH3 在衬底表面

　　进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类 比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD 外延炉是制作 LED 外延片最常用的 设备

　　LED 照明能够应用到高亮度领域归功于 LED 芯片生产技术的不断提高，包括单 颗晶片的功率和亮度的提高。LED 上游生产技术是 LED 行业的核心技术，目前在该 技术领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在 LED 上游生 产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。

　　学习分享下载基板衬磊晶制程扩散溅射化学气相沉淀磊晶片清洗黄光作业化学蚀刻熔合研磨切割测试单晶炉切片机磨片机等外延炉mocvd清洗机蒸镀机电子枪烘烤上光阻照相曝光显影刻蚀机减薄机清洗机切割机探针测试台颗粒度检测仪图23led生产流程

　　§3 大功率 LED 生产工艺 作为 LED 节能灯光源的大功率 LED，它是 LED 节能灯的核心部分。大功率 LED 的生产工艺如何直接影响 LED 的性能，进而影响 LED 灯具的性能，如光衰、光效等。 §3.1 LED 封装工艺流程

　　§4 LED 节能灯具生产流程 LED 灯具是利用 LED 做光源结合光学、热学、力学、电学、美学等学科知识生 产出来的一种高效节能灯具。

　　§1 LED 制造流程概述 LED 的制作流程包括上游的单晶片衬作、外延晶片生长；中游的芯片、电

　　注﹕焊线时第二焊点一定要按照固晶焊线 图上第二焊点位置(打斜线．荧光胶烘烤条件﹕120℃±10℃ 荧光胶配比参考实验

　　生产出高亮度 LED 芯片，一直是世界各国全力投入研制的目标，也是 LED 发的 方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光 1W LED 流明值已经达能到 150lm 之高。 LED 上游技术的发展将使 LED 灯具的生产成本越来越低，更显 LED 照明的优势。以 下以蓝光 LED 为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化鎵(GaN)基的 外延片,这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD)中完成的。准备 好制作 GaN 基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以 逐步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底,以及 GaAs、AlN、 ZnO 等材料。

　　1.弯脚后，Pin 脚总长度为 14.5mm± 0.2mm（注：弯脚时要注意 Pin 脚的 长度及平整度）。

　　然后是对 LED PN 结的两个电极进行加工，电极加工也是制作 LED 芯片的关键工 序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对 LED 毛片进行划片、 测试和分选，就可以得到所需的 LED 芯片了。

　　1. 339EG 焊线. 大功率打线.抽线EG 焊线℃，焊线K 更换一次。

　　2.夹起 Lens，判别双耳朵位置后，放 置于支架上白壳配合孔内﹐并压到 位。OB视讯